BLF888AS,112

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Деталь производителя

BLF888AS,112

Производитель
Rochester Electronics
Описание
RF PFET, 2-ELEMENT, ULTRA HIGH F
Категория
дискретные полупроводниковые изделия
Семья
транзисторы - fets, mosfets - rf
Ряд
-
В наличии
113
Спецификации онлайн
BLF888AS,112 PDF
Расследование
  • ряд:-
  • упаковка:Tube
  • статус детали:Active
  • тип транзистора:LDMOS (Dual), Common Source
  • частота:860MHz
  • усиление:21dB
  • напряжение - тест:50 V
  • номинальный ток (ампер):-
  • коэффициент шума:-
  • текущий - тест:1.3 A
  • выходная мощность:250W
  • напряжение - номинальное:110 V
  • упаковка / чехол:SOT539B
  • пакет устройств поставщика:SOT539B
Перевозки Период доставки Для запасных частей на складе заказы отправляются в течение 3 дней.
Мы отправляем заказы один раз в день около 17:00, кроме воскресенья.
После отправки расчетное время доставки зависит от выбранных вами ниже курьеров.
DHL Express, 3–7 рабочих дней
DHL eCommerce, 12–22 рабочих дня
FedEx International Priority, 3–7 рабочих дней
EMS, 10–15 рабочих дней
Зарегистрированная воздушная почта, 15–30 рабочих дней
Тарифы на доставку Стоимость доставки вашего заказа указана в корзине.
Вариант доставки Мы предоставляем международную доставку DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express и Registered Air Mail.
Отслеживание доставки Мы сообщим вам по электронной почте с номером отслеживания, как только заказ будет отправлен.
Вы также можете найти номер для отслеживания в истории заказов.
Возврат / Гарантия Возвращение Возврат обычно принимается, если он завершен в течение 30 дней с даты отгрузки. Пожалуйста, свяжитесь со службой поддержки для получения разрешения на возврат.
Детали должны быть неиспользованными и в оригинальной упаковке.
Клиент должен взять на себя ответственность за доставку.
Гарантия Все покупки сопровождаются 30-дневной политикой возврата денег, а также 90-дневной гарантией на любые производственные дефекты.
Настоящая гарантия не распространяется на любой товар, дефекты которого были вызваны неправильной сборкой, несоблюдением инструкций, модификацией продукта, небрежной или неправильной эксплуатацией.

Рекомендация для вас

Изображение номер части Описание Запас Цена за единицу Купить
MRF6S27050HSR3

MRF6S27050HSR3

Rochester Electronics

RF S BAND, N-CHANNEL POWER MOSFE

В наличии: 0

$56.00000

STAC4932B

STAC4932B

STMicroelectronics

TRANSISTOR RF MOSF N-CH STAC244B

В наличии: 0

$113.75000

AFT18H357-24NR6

AFT18H357-24NR6

Rochester Electronics

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

В наличии: 900

$130.47000

BLS6G2731S-130,112

BLS6G2731S-130,112

Rochester Electronics

RF PFET, 1-ELEMENT, S BAND, SILI

В наличии: 0

$305.76000

MRF7S21110HR3

MRF7S21110HR3

NXP Semiconductors

FET RF 65V 2.17GHZ NI-780

В наличии: 0

$69.58000

AFT21S230SR3

AFT21S230SR3

NXP Semiconductors

FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6

В наличии: 0

$357.16672

NE55410GR-T3-AZ

NE55410GR-T3-AZ

Rochester Electronics

RF POWER N-CHANNEL, MOSFET

В наличии: 36 571

$5.25000

BLF8G22LS-140J

BLF8G22LS-140J

Ampleon

RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B

В наличии: 0

$54.39560

PTVA101K02EV-V1-R250

PTVA101K02EV-V1-R250

Wolfspeed - a Cree company

RF DEVELOPMENT TOOLS

В наличии: 0

$630.85200

MRF6S9130HSR3

MRF6S9130HSR3

NXP Semiconductors

FET RF 68V 880MHZ NI-780S

В наличии: 0

$67.22000

Категория продуктов

диоды - вч
1815 Предметы
https://img.chimicron-en.com/thumb/BAT-17-05W-H6327-883622.jpg
тиристоры - SCR
4060 Предметы
https://img.chimicron-en.com/thumb/S6008VS3-843153.jpg
Top