IGN1011L70

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Деталь производителя

IGN1011L70

Производитель
Integra Technologies
Описание
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Категория
дискретные полупроводниковые изделия
Семья
транзисторы - fets, mosfets - rf
Ряд
-
В наличии
0
Спецификации онлайн
-
Расследование
  • ряд:-
  • упаковка:Bulk
  • статус детали:Active
  • тип транзистора:GaN HEMT
  • частота:1.03GHz ~ 1.09GHz
  • усиление:22dB
  • напряжение - тест:50 V
  • номинальный ток (ампер):-
  • коэффициент шума:-
  • текущий - тест:22 mA
  • выходная мощность:80W
  • напряжение - номинальное:120 V
  • упаковка / чехол:PL32A2
  • пакет устройств поставщика:PL32A2
Перевозки Период доставки Для запасных частей на складе заказы отправляются в течение 3 дней.
Мы отправляем заказы один раз в день около 17:00, кроме воскресенья.
После отправки расчетное время доставки зависит от выбранных вами ниже курьеров.
DHL Express, 3–7 рабочих дней
DHL eCommerce, 12–22 рабочих дня
FedEx International Priority, 3–7 рабочих дней
EMS, 10–15 рабочих дней
Зарегистрированная воздушная почта, 15–30 рабочих дней
Тарифы на доставку Стоимость доставки вашего заказа указана в корзине.
Вариант доставки Мы предоставляем международную доставку DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express и Registered Air Mail.
Отслеживание доставки Мы сообщим вам по электронной почте с номером отслеживания, как только заказ будет отправлен.
Вы также можете найти номер для отслеживания в истории заказов.
Возврат / Гарантия Возвращение Возврат обычно принимается, если он завершен в течение 30 дней с даты отгрузки. Пожалуйста, свяжитесь со службой поддержки для получения разрешения на возврат.
Детали должны быть неиспользованными и в оригинальной упаковке.
Клиент должен взять на себя ответственность за доставку.
Гарантия Все покупки сопровождаются 30-дневной политикой возврата денег, а также 90-дневной гарантией на любые производственные дефекты.
Настоящая гарантия не распространяется на любой товар, дефекты которого были вызваны неправильной сборкой, несоблюдением инструкций, модификацией продукта, небрежной или неправильной эксплуатацией.

Рекомендация для вас

Изображение номер части Описание Запас Цена за единицу Купить
FSS132-TL-E

FSS132-TL-E

Rochester Electronics

PCH 4V DRIVE SERIES

В наличии: 40 000

$0.71000

EC4303C-TL

EC4303C-TL

Rochester Electronics

PCH 4V DRIVE SERIES

В наличии: 30 000

$0.05000

BLS6G2731S-130,112

BLS6G2731S-130,112

Rochester Electronics

RF PFET, 1-ELEMENT, S BAND, SILI

В наличии: 0

$305.76000

BLC2425M8LS300PZ

BLC2425M8LS300PZ

Ampleon

RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501

В наличии: 81

$118.80000

BLF8G27LS-100GVJ

BLF8G27LS-100GVJ

Ampleon

RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C

В наличии: 1

$66.15000

PXAC261212FC-V1-R0

PXAC261212FC-V1-R0

Wolfspeed - a Cree company

IC AMP RF LDMOS H-37248-4

В наличии: 0

$79.42500

MRF6V13250HSR5

MRF6V13250HSR5

NXP Semiconductors

FET RF 120V 1.3GHZ NI780S

В наличии: 0

$577.16440

PD84008L-E

PD84008L-E

STMicroelectronics

FET RF 25V 870MHZ

В наличии: 491

$9.54000

BLF8G27LS-100U

BLF8G27LS-100U

Ampleon

RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B

В наличии: 60

$66.15000

2SK3391JX

2SK3391JX

Rochester Electronics

RF N-CHANNEL MOSFET

В наличии: 134 312

$2.59000

Категория продуктов

диоды - вч
1815 Предметы
https://img.chimicron-en.com/thumb/BAT-17-05W-H6327-883622.jpg
тиристоры - SCR
4060 Предметы
https://img.chimicron-en.com/thumb/S6008VS3-843153.jpg
Top